Презентация "Устройства специальной памяти"
Подписи к слайдам:
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) —энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.
По типу исполнения различают:
1. Массив данных совмещён с устройством выборки (считывающим устройством), в этом случае массив данных часто в разговоре называется «прошивка». Примером данной организации памяти может служить микросхема ПЗУ BIOS
2. Массив данных существует самостоятельно (без устройства считывания):
- компакт-диск и другие виды оптических дисков;
- перфокарта;
- перфолента;
- дискета.
По разновидностям микросхем ПЗУ различают:
1. ROM — (read-only memory, постоянное запоминающее устройство), масочное ПЗУ, изготавливается фабричным методом. В дальнейшем нет возможности изменить записанные данные.
- Малый объём хранимых данных. Преимущества:
- Записанные данные невозможно уничтожить электрическим способом, разрушение происходит лишь при физическом воздействии на носитель;
- Высокая скорость доступа к данным — 35 нс и менее.
Применение EPROM
Некоторые микроконтроллеры ещё до эпохи EEPROM и флэш-памяти использовали встроенную на чипе память EPROM для хранения своей программы. К таким микроконтроллерам относятся некоторые версии Intel 8048, Freescale 68HC11 и т.д.
4. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких как PROM и EPROM). Память такого типа может стираться и заполняться данными до миллиона раз. 4. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких как PROM и EPROM). Память такого типа может стираться и заполняться данными до миллиона раз. На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена NOR флеш-памятью. Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой емкости независимо от технологии. Принцип действия Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.5. ПЗУ на магнитных доменах, например К1602РЦ5, имело сложное устройство выборки и хранило довольно большой объём данных в виде намагниченных областей кристалла, при этом не имея движущихся частей.
Обеспечивалось неограниченное количество циклов перезаписи.
6. NVRAM (Non Volatile Random Access Memory) — разновидность запоминающих устройств с произвольным доступом, которые способны хранить данные при отсутствии электрического питания.
Это ОЗУ небольшого объёма, конструктивно совмещённое с батарейкой. В СССР такие устройства часто назывались «Dallas» по имени фирмы, выпустившей их на рынок.
В NVRAM современных ЭВМ батарейка уже конструктивно не связана с ОЗУ и может быть заменена.
Контрольные вопросы:- Флэш-память
- Видеопамять (VRAM)
- 3D Xpoint
- T-RAM (Thyristor RAM)
Информатика - еще материалы к урокам:
- Презентация "Как создать свой социальный проект?"
- Презентация "Центральный процессор. Устройство управления"
- Презентация "Организация ввода - вывода"
- Презентация "Основные характеристики ЭВМ"
- Самостоятельная работа "Единицы измерения информации и кодирование" 7 класс
- Проверочная работа "Знакомство с системами объектно - ориентированного программирования" 9 класс